HighWayToHell - Tag - 集成电路
花园里, 篱笆下
2023-08-13T10:38:15+08:00
Druggo
urn:md5:79dfcacdbfd6434dfc57423d51240051
Dotclear
有关信号完整性(Signal Integrity)、电磁兼容性(EMC)和串扰(Crosstalk)的定义
urn:md5:3a283f99a70f2a326f5c4a84a20ec796
2006-08-10T21:51:00+08:00
2006-08-10T21:52:36+08:00
admin
电子
crosstalkemcemi串扰信号完整性电磁兼容性集成电路
<p><strong>什么是信号完整性(signal integrity)?</strong></p>
<blockquote>
<p>信号完整性(Signal integrity)是指一个信号在电路中产生正确的相应的能力。信号具有良好的信号完整性(signal
integrity)是指当在需要的时候,具有所必需达到的电压电平数值。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是串扰(crosstalk)?</strong></p>
<blockquote>
<p>串扰(Crosstalk)是指在两个不同的电性能网络之间的相互作用。产生串扰(crosstalk)被称为Aggressor,而另一个收到干扰的被称为Victim。通常,一个网络既是Aggressor,又是Victim。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是电磁兼容性(EMI)?</strong></p>
<blockquote>
<p>电磁干扰(Electromagnetic Interference),或者电磁兼容性(EMI),是从一个传输线(transmission line)(例如电缆、导线或封装的管脚)得到的具有天线特性的结果。印制电路板、集成电路和许多电缆发射并影响电磁兼容性(EMI)的问题。FCC定义了对于一定的频率的最大发射的水平(例如应用于飞行控制器领域)。 </p>
</blockquote>
<p><strong>在时域(time domain)和频域(frequency domain)之间有什么不同?</strong></p>
<blockquote>
<p>时域(time domain)是一个波形的示波器观察,它通常用于找出管脚到管脚的延时(delays)、偏移(skew)、过冲(overshoot)、、下冲(undershoot)以及设置时间(settling times)。频域(frequency domain)是一个波形的频谱分析仪的观察,它通常用于波形与FCC和其它EMI控制限制之间的比较。(有一个比喻,它就象收音机——你在时域(time domain)中听见,但是你要找到你喜欢的电台是在频域(frequency domain)内。)</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是传输线(transmission line)?</strong></p>
<blockquote>
<p>传输线(transmission line)是一个网络(导线),并且它的电流返回到地或电源。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是阻抗(impedance)?</strong></p>
<blockquote>
<p>阻抗(Impedance)是传输线(transmission line)上输入电压对输入电流的比率值(Z0=V/I)。当一个源送出一个信号到线上,它将阻碍它驱动,直到2*TD时,源并没有看到它的改变,在这里TD是线的延时(delay)。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是反射(reflection)?</strong></p>
<blockquote>
<p>反
射(reflection)就是在传输线(transmission
line)上的回波(echo)。信号功率(电压和电流)的一部分传输到线上并达到负载处,但是有一部分被反射(reflected)了。如果负载和线具
有相同的(impedance),反射(Reflections)就不会发生了。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是过冲(overshoot)?</strong></p>
<blockquote>
<p>过冲(Overshoot)就是第一个峰值或谷值超过设定电压 -
对于上升沿是指最高电压而对于下降沿是指最低电压。下冲(Undershoot)是指下一个谷值或
峰值。过分的过冲(overshoot)能够引起保护二极管工作,导致过早地失效。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是下冲(undershoot)(ringback)?</strong></p>
<blockquote>
<p>下冲(Undershoot)是第二个峰值或谷值超过设定电压 -
对于上升沿过度的谷值或对于下降沿太大的峰值。过分的下冲(undershoot)能够引起假的时钟或数据错误(误操作)。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么振荡(ringing)?</strong></p>
<blockquote>
<p>振荡(Ringing)就是在反复出现过冲(overshoots)和下冲(undershoots)。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是设置时间(settling time)?</strong></p>
<blockquote>
<p>设置时间(Settling time)就是对于一个振荡的信号稳定到指定的最终值所需要的时间。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是管脚到管脚(pin-to-pin)的延时(delay)?</strong></p>
<blockquote>
<p>管
脚到管脚(Pin-to-pin)延时(delay)是指在驱动器端状态的改变到接收器端状态的改变之间的时间。这些改变通常发生在给定电压的50%,最
小延时发生在当输出第一个越过给定的阈值(threshold),最大延时发生在当输出最后一个越过电压阈值(threshold)
,测量所有这些情况。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是偏差(skew)?</strong></p>
<blockquote>
<p>信号的偏移(skew)是对于同一个网络到达不同的接收器端之间的时间偏差。偏移(Skew)还被用于在逻辑门上时钟和数据达到的时间偏差。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是斜率(slew rate)?</strong></p>
<blockquote>
<p>Slew rate就是边沿斜率(一个信号的电压有关的时间改变的比率). I/O
的技术规范 (如PCI)状态在两个电压之间,这就是斜率(slew rate),它是可以测量的。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是静态线(quiescent line)?</strong></p>
<blockquote>
<p>在当前的时钟周期内它不出现切换。另外也被称为 "stuck-at"
线或static线。串扰(Crosstalk)能够引起一个静态线在时钟周期内出现切换。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是假时钟(false clocking)?</strong></p>
<blockquote>
<p>假时钟是指时钟越过阈值(threshold)无意识地改变了状态(有时在VIL
或VIH之间)。通常由于过分的下冲(undershoot)或串扰(crosstalk)引起。</p>
</blockquote>
<p><strong>什么是IBIS?</strong></p>
<blockquote>
<p>IBIS是描述一个输入/输出(I/O)的 EIA/ANSI标准。它既包括DC (V/I)特性曲线,也包括瞬态(transient)(V/T)特性曲线
curves as tables of points. HyperLynx的网页 (Web site)上有连接到 IBIS的主页,另外还有许多供应商的IBIS
模型网页。</p>
</blockquote>
from: http://www.kgs.com.hk/chinese/hspeed/fart_4_cn.htm
http://blog.druggo.org/post/2006/08/10/Signal-IntegrityEMCCrosstalk#comment-form
http://blog.druggo.org/feed/atom/comments/29
何为Latch-Up ?
urn:md5:394f7f118d49b5bf38e62b0ef305a9d4
2006-07-21T00:18:00+08:00
2006-07-21T00:18:29+08:00
admin
电子
esdlatch-up集成电路
<p>簡單說--注意,真的是用簡單的方式說明喔:<br />IC製作的基材是半導體,意思就是IC內部基板由是由n與p材質互相構成(電晶體的NPN(PNP)中的N與P材質),所以到處都是NP接面--就是二極體,NP與下一個N或P就形成NPN,PNP--電晶體。<br />你要NP--二極體不導通,P這邊一定要"永遠保證"電壓不能高於N這邊一個電壓值--也就是二極體的順向導通電壓值,也就是一般我們說的"二極體的導通電壓是0.6v",此時P這邊高於N這邊0.6v,就形成導通狀態--漏電甚至..,但此電壓與IC製作的方式有關,不一定是0.6v。<br />因此我們要求P這邊一定要"永遠保證"電壓不能高於N這邊一個電壓值,就是為了製造二極體的反偏狀態,來形成絕緣不導通的目的。<br />因此:IC內部是利用反偏壓來製造不導通來當絕緣,因此IC運用的某些電氣規範,就是為了確保,制止你提供一個"正偏壓"來破壞這平衡狀態的條件,當我們不論IC內部設計瑕疵造成的問題時,我們若違反了某些條件,而導通某一個"二極體"時,就會有"電流"開始流通,輕微一點使IC運作不正常,嚴重時將燒毀 IC。<br />同時上面說了,IC內部可以看成很多的NPN或PNP晶體,當你導通某一個"二極體"時,等於導通了某一個NPN或PNP的BE,促使晶體動作--流入的電流可以看成是Ib,經NPN(PNP)放大之後,內部的Ic是Ib的N被-看此晶體放大率,此時電流大小與影響範圍就更廣泛了,更嚴重一點,還會引發連鎖反應--看動作附近的一些原件運作狀態,導致更多的晶體導通,此時就算你消除了原始造成此現象的原因,也可能無法抑制這連鎖反應了--此現象就被稱為 latch up。<br />所以當你送進此CHIP的信號電壓高於或低於某些規範時-如4397輸入規定是:Max=Vd+0.4v Min=-0.3v,你給大於或小於此電壓的信號,則將可能產生上述latch up的問題。<br />但發生上訴情況,卻不一定會燒IC--但IC暫時失效是非常可能的,要燒IC是要累積足夠的能量,意即<br />1:上訴狀況非常嚴重,短時間內就會燒毀。<br />2:狀況不太嚴重,但因為無法解除,持續的能量把IC燒了,此時,我們關掉電源,再開,則可能又可以正常動作了。<br /><br />而電源電壓供應範圍的規範是此IC能承受的電壓規範--等於電晶體的耐壓,則是另外一個不同的條件。<br />一般我們供應IC的所能承受最高電壓給IC運作,是絕對不會有問題的,只是只是電壓變化的容忍度非常低,你要提供一個非常精準的電壓而已,但是不是一超過額定電壓IC就燒毀呢?答案卻是不一定,需要看1:超過多少?2:超過多久?一般而言,超過個5%以內,就算長時間使用都應該不會出事--99.9%?當然,不要冒那0.1%的風險時,大家還是乖乖按規範使用吧。當然,當你超過規範電壓操作時壞了,原廠不負保證責任而已,如CPU一般,廠商只保證一定可以在某種頻率下長時間操作,超頻就不動做了嗎?當然不是,廠商不保證而已。而供電電壓再高,則與時間息息相關了,IC出廠時,都會施加瞬間高壓驗證-ESD 測試,目的在於防止靜電擊穿IC內部原件,通常2000v算是最基本的耐壓,只是時間非常短--約2~10n sec 而已,當然這電壓不是實際街上電源供應器的,只是模擬一個靜電型態的高壓而已。所以,暫時性的高壓不見的會燒毀IC,只要是看時間與電壓的相互關係而已。</p>
<br />from: http://www.govern.com.tw/ph/read.php?f=8&i=2504&t=2504&v=t<br />
http://blog.druggo.org/post/2006/07/21/Latch-Up#comment-form
http://blog.druggo.org/feed/atom/comments/15
集成电路中文名称
urn:md5:1374137256663c66a2a774b42771b092
2006-07-13T20:09:00+08:00
2006-07-13T20:09:24+08:00
admin
电子
集成电路
<p>光电耦合 LM <br /> 4N25 晶体管输出 LM24J 四运放(军用级)<br /> 4N25MC 晶体管输出 LM148J 通用四运放<br /> 4N26 晶体管输出 LM1875T 无线电控制/接收器<br /> 4N27 晶体管输出 LM224J 四运放(工业级)<br /> 4N28 晶体管输出 258N 分离式双电源双运放<br /> 4N29 达林顿输出 LM2901N 四电压比较器<br /> 4N30 达林顿输出 LM2904N 四运放<br /> 4N31 达林顿输出 LM301AN 通用运算放大器<br /> 4N32 达林顿输出 LM308N 单比较器<br /> 4N33 达林顿输出 LM311P 单比较器<br /> 4N33MC 达林顿输出 LM317L 可调三端稳压器/100mA<br /> 4N35 达林顿输出 LM317T 可调三端稳压器/1.5A<br /> 4N36 晶体管输出 LM317K 可调三端稳压器/3A<br /> 4N37 晶体管输出 LM318 高速宽带运放<br /> 4N38 晶体管输出 LM324K 通用四运放<br /> 4N39 可控硅输出 LM331N V-F/F-V转换器<br /> 6N135 高速光耦晶体管输出 LM336-2.5V 基准电压电路<br /> 6N136 高速光耦晶体管输出 LM336 5V 基准电压电路<br /> 6N137 高速光耦晶体管输出 LM337T 基准电压电路1A<br /> 6N138 达林顿输出 LM338K 可调三端稳压器5A<br /> 6N139 达林顿输出 LM339N 四比较器<br /> MOC3020 可控硅驱动输出 LM348N 四741运放<br /> MOC3021 可控硅驱动输出 LM358N 低功耗双运放<br /> MOC3023 可控硅驱动输出 LM361N 高速差动比较器<br /> MOC3030 可控硅驱动输出 LM386N 声频功率放大器<br /> MOC3040 过零触发可控硅输出 LM3914N 十段点线显示驱动<br /> MOC3041 过零触发可控硅输出 LM393N 低功耗低失调双比较器<br /> MOC3061 过零触发可控硅输出 LM399H 精密基准源(6.9)<br /> MOC3081 过零触发可控硅输出 LM723CN 可调正式负稳压器<br /> TLP521-1 单光耦 LM733CN 视频放大器<br /> TLP521-2 双光耦 LM741J 单运放<br /> TLP521-4 四光耦 LM741CN 双运放<br /> TLP621 四光耦 <br /> TIL113 达林顿输出 OP <br /> TIL117 TLL逻辑输出 OP07 低噪声运放<br /> PC814 单光耦 OP27 超低噪声精密运放<br /> PC817 单光耦 OP37 超低噪声精密运放<br /> H11A2 晶体管输出 TL <br /> H11D1 高压晶体管输出 TL062 低功耗JEFT输入双运放<br /> H11G2 电阻达林顿输出 TL072 低噪声JEFT <br /> LF TL082 <br /> LF347N 宽带JFET输入四运放 TL084 <br /> LF351N 宽带JFET输入运放 TL431 <br /> LF353N JFET输入宽带运放 TL494 <br /> LF355N JFET输入运放 ULN <br /> LF357N JFET宽带非全裣运放 ULN2003 周边七段驱动陈列<br /> LF398N 采样/保持电路 ULN2004 周边七段驱动陈列<br /> LF412N 低偏差 飘移输入运放 ULN2803 周边八段驱动陈列<br /> MC ULN2804 周边八段驱动陈列<br /> MC1377 彩色电视编码器 ICL <br /> MC1403 精密电压基准源(2.5) ICL7106 3位ADC/驱动LCD<br /> MC1413 周边七段驱动阵列 ICL7107 3位半ADC/驱动LED<br /> MC1416 周边七段驱动陈列 ICL7109 4位半ADC/驱动LED<br /> MC14409 二进制脉冲拨号器 ICL7129 4位半ADC/LCD驱动<br /> MC14433 3位半A/D转换器 ICL7135 ADC/LCD驱动BCD输出<br /> MC14489 多字符LED显示驱动器 ICL7136 3位半 CMOSADC/LCD驱动<br /> MC145026 编码器 ICL7218 CMOS低功耗运算放大器<br /> VD5026 编码器 ICL7650 整零运放斩波<br /> MC145027 译码器 ICL7652 整零运放斩波<br /> VD5027 译码器 ICL7660 CMOS直流-直流转换器<br /> MC145028 译码器 ICL8038 函数信号发生器<br /> MC145030 编码译码器 ICL8049 反对数放大器<br /> MC145106 频率合成器 CA <br /> MC145146 4位数据总线 CA3140 单BIMOS运行<br /> NE CA3240 单BIMOS运行<br /> NE521 高速双差分比较器 UC <br /> NE5532 双运放 UC3842 WM电流型控制器<br /> NE5534 双运放 UC3845 PWM电流型控制器<br /> NE555N 单运放 DS <br /> NE555J 时基电路军品极 DS12887 非易失实时时钟芯片<br /> NE556 双级型双时基电路 L3845 中继接口电路<br /> NE564 锁相环 SG <br /> NE565 锁相环 SG3524 PWM解调调制器<br /> NE567 音调译码器 SG3525 PWM解调调制器<br /> NE592 视频放大器 20106 前置放大器<br /><br /><br /> MT TCM <br /> MT8814 8x12模拟交换矩阵 TCM5087 双音调发生器<br /> MT8816 8x模拟交换矩阵 MM5832 实时钟电路<br /> MT8870 综合DTMF接收器 TC <br /> MT8870 综合DTMF接收器 TC14433 3位半A/D转换器<br /> MT8880 综合DTMF发生接收器 TC232 并行/串行接口电路<br /> [B]MIC/B] TC7106 3位半ADC/LCD驱动<br /> 24LC01 128x8串行 EEPROM TC7107 3位半ADC/LED驱动<br /> 24LC02 256x8串行 EEPROM TC7116 3位半ADC/LCD驱动带保<br /> 24LC04 512x8串行 EEPROM TC7129 4位半ADC/LCD<br /> 24LC16 2Kx8串行 EEPROM TC7135 4位半ADC/LCD,BCD输出<br /> 93LC46 64x16串行 EEPROM TC7650 整零运放斩波<br /> 93LC56 256x16串行 EEPROM 75 <br /> 93LC66 512x8 256x16 EEPROM 75107 四差分线驱动器<br /> PIC16C52 384x12 单片机 75174 四差分线驱动器<br /> PIC16C54 512x12 单片机 75175 三态四差分接收器<br /> PCI16C56 512x12 单片机 75176 差分总线接收器<br /> PIC16C57 2048x12 单片机 75188 四线驱动器<br /> AT 75189 四线驱动器<br /> AT24C01 128x8串行 EEPROM 75451 双外围驱动器<br /> AT24C02 256x8串行 EEPROM 75452 双外围驱动器<br /> AT24C04 512x8串行 EEPROM 门阵 <br /> AT24C16 2Kx8串行 EEPROM PAL16L8 FLASH200门<br /> AT93C46 64x16串行 EEPROM PALCE16V8-25 FLASH200门<br /> AT93C56 256x16串行 EEPROM PALCE16V8-25JC FLASH200门(贴片)<br /> ATF16V8 FLASH200门 ATF16V8-25PC FLASH200门<br /> ATF20V8 FLASH300门高速 GAL16V8-25LP FLASH200门<br /> ATF22V10 FLASH500门高速低电流 GAL16V8-25LPI 工业级FLASH200门<br /> AT28C16 2Kx8CMOS并行 EEPROM GALV8-20LD 军品级FLASH200门<br /> AT28C17 2Kx8CMOS并行 EEPROM GAL16V8-15LP 军品级FLASH200门 <br /> AT28C64 8Kx8并行 EEPROM GAL16V8-15LPI 工业级FLASH200门<br /> AT28C256 32Kx8并行 EEPROM PALCF20V8-25PC FLASH300门<br /> AT28F010 128Kx8并行 EEPROM ATF20V8-25PC FLASH300门<br /> A29C040 512Kx8 FLASH EEPROM GAL20V8-25LP FLASH300门<br /> HM6116 2Kx8 CMOS 静态 PAM GAL20V8-25LPI 工业级FLASH门<br /> HY6264 8Kx8 CMOS 静态 RAM GAL20V8-20LD 军品级门<br /> HM6264 8Kx8 CMOS 静态 RAM GAL20V8-15LP 军品级门<br /> IS62C64 8Kx8 高速 CMOS 静态 RAM GAL20V8-15LPI 工业级FLASH门<br /> HY62256 32Kx8 CMOS 静态 RAM ATF22C10-25PC FLASH500门高速低电流<br /> HM62256 32Kx8 CMOS 静态 RAM ATF22C10-25PC FLASH500门高速低电流<br /> HM628128 128Kx8 CMOS 静态 RAM GAI22V10-25LP FLASH500门高速低电流<br /> HM628256 256Kx8 CMOS 静态 RAM PALCE22V10-15JC FLASH500门高速低电流<br /> HM628512 512Kx8 CMOS 静态 RAM <br /><br />HM628512 512Kx8 CMOS 静态 RAM 存储器<br /> <br /> 8000<br /> 216 8Kx8 NMOS EPROM<br /> Z80 CP CTC PIO S10 2C16 2Kx8 NMOS EPROM<br /> LD8031AH 8位微处理器 工业级 2732 4Kx8 NMOS EPROM<br /> 8031 8位微处理器 27C32 4Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C31 8位 CMOST微处理器 2764F 8Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C31NT 8位 CMOST微处理器 27C64F 8Kx8 NMOS EPROM <br /> N80C31BH 8位 CMOST微处理器贴片 2764ST 8Kx8 NMOS EPROM<br /> LD80C31BH 8位 CMOST微处理器 27C64ST 8Kx8 NMOS EPROM<br /> MD80C31BH 8位 CMOST微处理器 27C64NS 8Kx8 NMOS EPROM<br /> 8032 8位微处理器 27128 16Kx8 NMOS EPROM<br /> LD8032AH 8位 CMOST微处理器 27C128 16Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C32 8位 CMOS微控制器 27256 32Kx8 NMOS EPROM<br /> 8039 8位微控制器 27C256 32Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C39 8位微控制器 MD27C256 16Kx8 CMOS EPROM<br /> 8051 8位微控制器 27HC256-45 16Kx8 高速 CMOS EPROM<br /> 80C51 8位 CMOS微控制器 27512 64Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C552 8位微控制器 27C512 64Kx8 NMOS EPROM<br /> 80C552新 8位微控制器 MD27C512 64Kx8 NMOS EPROM<br /> 8080 8位微处理器 27HC512-45 64Kx 高速 CMOS EPROM<br /> 8085 8位 NMOS微处理器 27C010 128Kx8 CMOS EPROM<br /> 80C85 8位 NMOS微处理器 27HC010-30 128Kx8 CMOS EPROM<br /> 8086 16位 NMOS微处理器 27C020 256Kx8 CMOS EPROM<br /> 80C86 CMOS 16位微处理器 27C040 512Kx8 CMOS EPROM<br /> 8087 数值协处理器 27HC040-30 512Kx8 CMOS EPROM<br /> 8088 8位 HMOS微处理器 27C080 1024Kx8 CMOS EPROM<br /> 80C88 CMOS 8位 HMOS微处理器 2816 2Kx8 并行 EEPROM<br /> 8097 16位单片机 28C16 2Kx8 CMOS 并行 EEPROM<br /> 8098 准16位微控制器 2817 2Kx8 并行 EEPROM <br /> 8155 通用接口电路 28C17 2Kx8 CMOS 并行 EEPROM<br /> 81C55 CMOS通用接口电路 2864 8Kx8 并行 EEPROM<br /> 8212 时钟发生器和驱动器 28C64 8Kx8 CMOS 并行 EEPROM<br /> 8228 系统控制和总线驱动器 28C64B15JC 8Kx8 CMOS 并行 EEPROM<br /> 8237 DMA控制器 28C256 32Kx8 CMOS 并行 EEPROM<br /> 82C37 CMOS DMA 控制器 贴片28F004BCT <br /> 8243 扩展器 28F010 128Kx 高速并行 EEPROM<br /> 82C43 CMOS I/O扩展器 贴片2810 128Kx 高速并行 EEPROM <br /> 8250 异步通信接口电路 贴片20F016 <br /> 82C50 CMOS 异步通信接口电路 28F020 256Kx 高速并行 EEPROM<br /> 8251 串行通信接口电路 贴片28F020-150 256Kx 高速并行 EEPROM<br /> MD8251A 异步通信接口电路 贴片28F01AVP-10 <br /> 82C51 CMOS 异步通信接口电路 28F256 32Kx 高速并行 EEPROM<br /> 8253 可编程区间计数器 贴片28F256 32Kx 高速并行 EEPROM<br /> 82C53 CMOS 可编程区间计数器 贴片28F51-150 <br /> 8254 可编程间隔定时器 29C010 128Kx8 FLASH EEPROM<br /> 83C54 CMOS 可编程间隔定时器 29EE010 <br /> LP82C54 CMOS 可编程间隔定时器 28LV010A-20JC <br /> 8255 可编程外围并行接口电路 贴片29F010-45JC <br /> MD8255A 可编程外围并行接口电路 29C040 512Kx8 FLASH EEPROM<br /> 82C55 CMOS 可编程外围并行接口 贴片29F040-90 512Kx8 FLASH EEPROM<br /> 8257 可编程DMA控制器 贴29C512-12JC <br /> 8259 可编程中段控制器 AD<br />AD1674KN 12位2KHZ带采保ADC<br /> 82C59 CMOS 可编程中段控制器 AD202JY 小型2KHZ隔离放大器<br /> 8279 可编程键盘显示器接口电路 AD232JN 线路驱动接收器<br /> 82C79 CMOS 8279 AD521JD 电阻设置精密仪放器<br /> 8282 8位锁存器 AD574AJD 12位数模转换器<br /> 8283 8位锁存器 AD590JH 宽温度范围传感器<br /> 8284 时钟发生器和驱动器 AD624AD 精密仪表放大器<br /> 8286 8位总线收发器 AD650JN 低线性误差压频转换器<br /> 8287 8位总线收发器 ADC0804 8位A/D转换器<br /> 8288 总线控制器 ADC0808 8位A/D转换器<br /> 82C88 CMOS 总线控制器 ADC0809 8位A/D转换器<br /> 87C196KB ADC0820 8位A/D转换器<br /> 87C196KD DAC0808 8位A/D转换器<br /> 8748 8位微控制器 DAC0832 8位A/D转换器<br /> 8749 8位微控制器 DAC1210 12位A/D转换器<br /> 8751 8位微控制器 MAX<br /> <br /> 87C51 CMOS 8位控制器 MAX1487CPA ESD保护RS-485<br /> 87C51FA CMOS 8位微控制器 MAX1202CPE RS-232接口电路<br /> 87C52 87C51加强型 MAX232CPA RS-232接口电路<br /> 87C552 8位微控制器 MAX485CPA RS-485接口电路<br /> 89C1051PC 1K8位 FLASH单片机 MAX488CPA RS-485接口电路<br /> 89C2051PC 2K8位 FLASH单片机 MAX706CPA UP监控电路<br /> 89C2051PI 2K8位 FLASH单片机 MAX7219CNA 8位显示驱动器<br /> 89C51PC 4K8位 FLASH单片机 MAX756CPA UP监控电路<br /> 89C51PI 4K8位 FLASH单片机 MAX483 UP监控电路<br /> 89C52PC 2K8位 FLASH单片机 MAX813 <br /> 89C52PI 2K8位 FLASH单片机 TDA<br /> <br /> 89C52JC 2K8位 FLASH单片机 TDA1521 低电平检测宽带放大器 <br /> 89C55PC 20Kx8位 TDA2003A 单功率放大器5-10W<br /> TDA2030A 单功率放大器>10W<br /> TDA2822 桑苗双功率放大器 </p>
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国际部分品牌产品的封装命名规则
urn:md5:2d3d16ac7cccc71d1ef4130390788fa1
2006-07-13T20:02:00+08:00
2006-07-13T20:02:57+08:00
admin
电子
命名规则集成电路
<p>国际部分品牌产品的封装命名规则资料<br />1、 MAXIM 更多资料请参考 www.maxim-ic.com<br />MAXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。<br />MAX×××或MAX××××<br />说明:<br />1、后缀CSA、CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W表示宽体表贴。<br />2、后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级。<br />3、CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。<br /><br />举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护<br />MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃),说明E指抗静电保护MAXIM数字排列分类<br />1字头 模拟器 2字头 滤波器 3字头 多路开关<br />4字头 放大器 5字头 数模转换器 6字头 电压基准<br />7字头 电压转换 8字头 复位器 9字头 比较器<br />DALLAS命名规则<br />例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND<br />N=工业级 S=表贴宽体 MCG=DIP封 Z=表贴宽体 MNG=DIP工业级<br />IND=工业级 QCG=PLCC封 Q=QFP<br /><br />2、 ADI 更多资料查看www.analog.com<br />AD产品以“AD”、“ADV”居多,也有“OP”或者“REF”、“AMP”、“SMP”、“SSM”、“TMP”、“TMS”等开头的。<br />后缀的说明:<br />1、后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。 <br />2、后缀中带D或Q的表示陶封,工业级(45℃-85℃)。后缀中H表示圆帽。<br />3、后缀中SD或883属军品。<br />例如:JN DIP封装 JR表贴 JD DIP陶封<br />3、 BB 更多资料查看www.ti.com<br />BB产品命名规则:<br />前缀ADS模拟器件 后缀U表贴 P是DIP封装 带B表示工业级 前缀INA、XTR、PGA等表示高精度运放 后缀U表贴 P代表DIP PA表示高精度<br />4、 INTEL 更多资料查看www.intel.com<br />INTEL产品命名规则:<br />N80C196系列都是单片机<br />前缀:N=PLCC封装 T=工业级 S=TQFP封装 P=DIP封装<br />KC20主频 KB主频 MC代表84引角<br />举例:TE28F640J3A-120 闪存 TE=TSOP DA=SSOP E=TSOP<br />5、 ISSI 更多资料查看www.issi.com<br />以“IS”开头<br />比如:IS61C IS61LV 4×表示DRAM 6×表示SRAM 9×表示EEPROM<br />封装: PL=PLCC PQ=PQFP T=TSOP TQ=TQFP<br />6、 LINEAR 更多资料查看www.linear-tech.com<br />以产品名称为前缀<br />LTC1051CS CS表示表贴<br />LTC1051CN8 CN表示DIP封装8脚<br />7、 IDT 更多资料查看www.idt.com<br />IDT的产品一般都是IDT开头的<br />后缀的说明:<br />1、后缀中TP属窄体DIP<br />2、后缀中P 属宽体DIP<br />3、后缀中J 属PLCC<br />比如:IDT7134SA55P 是DIP封装<br />IDT7132SA55J 是PLCC<br />IDT7206L25TP 是DIP<br />8、 NS 更多资料查看www.national.com<br />NS的产品部分以LM 、LF开头的<br />LM324N 3字头代表民品 带N圆帽<br />LM224N 2字头代表工业级 带J陶封<br />LM124J 1字头代表军品 带N塑封<br />9、 HYNIX 更多资料查看www.hynix.com<br />封装: DP代表DIP封装 DG代表SOP封装 DT代表TSOP封装 </p>
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